SiC パワーデバイス

#省エネルギーな社会を実現する #パワー半導体
パワーデバイス設計、プロセス技術  /   三安ジャパンテクノロジー株式会社
  • 解決したい社会課題
    パワーデバイス技術を通じてエコシステムを実現する。
  • 挑戦したい成長領域
    パワーデバイスのコア技術の開発を軸に、デバイスの安定供給とサプライチェーンの構築を目指します。
業務内容
・SiC結晶育成技術開発
・SiCエピ膜技術開発
・SiCウェハプロセス技術開発
・SiCデバイス開発
・SiC MOSFET設計&プロセス技術開発

当社は中国福建省厦門市を本拠地とする三安光電グループの日本R&Dセンターです。
製造拠点は中国にあり、量産立上げは中国で行われます。中国本社の技術者との日々のやりとりや海外出張の業務もあり、グローバルに活躍できます。
応募資格
工学系大卒、大学院卒
SiC経験者歓迎
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会社概要

メッセージ

【沿革】
三安ジャパンテクノロジー株式会社は
中国福建省に本社を置く三安光電100%出資日本法人として、2017年に設立されました。

【事業概要】
RFデバイス、パワーデバイス、光学デバイス設計の開発、製造
関連材料/設備等販売
三安グループ製品等の国内販売

【三安光電について】
三安光電は2000年創設の中国LED業界におけるリーディングカンパニーです。
主要製品であるLEDチップは中国国内において55%以上
世界市場においても30%以上のシェアを誇ります。

その他の主力事業として、パワーエレクロニクス、RFデバイス、マイクロ波集積回路、光通信デバイスの開発も行っており、三安製品は家電、携帯電話、鉄道、自動車等我々の生活を支える様々な製品に使用されています。

会社情報
  • 企業名
    三安ジャパンテクノロジー株式会社
  • 代表者
    代表取締役 塩井 伸一
  • 設立
    2017年05月10日
  • 資本金
    90,000,000円
  • 従業員数
    30人
  • 事業内容
    RFデバイス/パワーデバイス/光学デバイス設計、開発、製造
    関連材料/設備等販売
    三安グループ製品等の国内販売
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企業情報
三安ジャパンテクノロジー株式会社
http://www.sanan-ic.com/launch
解決したい社会課題

パワーデバイス技術を通じてエコシステムを実現する。

挑戦したい成長領域

パワーデバイスのコア技術の開発を軸に、デバイスの安定供給とサプライチェーンの構築を目指します。

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